整個產(chǎn)業(yè)鏈上下游要開誠布公、通力合作，以倍于國際廠家的努力來縮短并趕超國際水平，進一步提升器件良率，降低綜合成本。

　　“可以預期未來一兩年功率器件市場將有質(zhì)的變化。”李虹認為，市場目前正處于成長期，未來國內(nèi)行業(yè)每年會以雙位數(shù)的增長率朝前推進。

　　“中國碳化硅以及至氮化鎵的項目很多，但是真正能做好并最終實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的，可能不會太多?！崩詈绫硎?，希望政策層面能夠積極地鼓勵加快發(fā)展，同時加大扶持和鼓勵頭部企業(yè)，讓頭部企業(yè)強強聯(lián)手，把中國第三代半導體真正地高質(zhì)量地做起來。

　　第三代材料是指以碳化硅（SiC）、（GaN）為代表的寬禁帶材料，產(chǎn)業(yè)鏈主要劃分為襯底、外延、晶圓、封測四大部分。

　　據(jù)李虹介紹，電子作為專注于功率器件的IDM公司，在多年前就布局了第三代半導體產(chǎn)業(yè)?；谧陨砉杌骷O計、制造和銷售優(yōu)勢，在國內(nèi)建設了第一條6繼薊硅半導體生產(chǎn)線，覆蓋從晶圓制造和成品封裝。目前6嫉SiC和GaN晶圓線均已穩(wěn)定量產(chǎn)，如碳化硅JBS、碳化硅MOS能比肩國際先進水平，在消費、工業(yè)和汽車領域的較多標桿客戶批量出貨。

　　GaN功率產(chǎn)品也是屈指可數(shù)，是同時發(fā)展E-MODE和D-MODE技術線的廠家之一。目前，D-MODE產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，各方面性能直接對標國際品牌；E-MODE產(chǎn)品正處于工程樣品階段，已經(jīng)有頭部企業(yè)合作項目，預計2024年中能實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

　　“從整個產(chǎn)業(yè)鏈來說，目前國內(nèi)廠家在襯底、外延和封測部分進步快，但在晶圓制造方面，對標國際先進水平仍存在明顯的差距?！崩詈缣钩?，國產(chǎn)化率最低的還是半導體制造設備，尤其是關鍵的外延爐、注入機、高溫退火和刻蝕設備等。

　　“從進口替代角度來講，今內(nèi)碳化硅器件，特別是高端器件，大部分還是海外進口，這個我們必須承認?！崩詈绫硎荆@也是給我們從事第三代半導體的廠家，不管是材料、設備、器件，提供了一個巨大的未來增量的空間。

　　李虹稱，碳化硅襯底和外延的國內(nèi)頭部廠家從產(chǎn)量、質(zhì)量上已經(jīng)接近國際先進水平，未來基于規(guī)?；?、良率提升等成本進一步下降，將非常具有競爭力。SiC功率器件和模塊目前在除了主驅(qū)外的應用場景，國產(chǎn)產(chǎn)品已經(jīng)在逐步替代，如OBC、充電樁、逆變器、工業(yè)電源等。

　　“但是最核心同時也是用量最大的汽車主驅(qū)應用方面，中國內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)的不多?！崩詈缯J為，在一定時間內(nèi)，國內(nèi)廠家仍將圍繞車規(guī)級碳化硅功率器件和模塊開展研發(fā)和產(chǎn)品提升，是未來必爭的市場。

　　“我相信，國內(nèi)的廠家很快也會進入國內(nèi)新能源汽車的主驅(qū)系統(tǒng)里面去?！崩詈绶Q。

　　第三代半導體由于不同于硅基材料的物理特性，使得制造難度大幅提升，比如晶型控制、單晶生長速率、柵氧生長、注入/刻蝕工藝難度等都是很大的挑戰(zhàn)，同時第三代半導體的材料的缺陷率也明顯高于硅基材料，對于制造過程中的缺陷控制也是業(yè)內(nèi)在努力提升的重要方向。另外在封裝階段，圍繞碳化硅特性的新封裝材料和封裝工藝仍在摸索和攻關。除了制造端的難點，在設計端也是有很多難點要突破的，比如Trench MOS的自有專利結(jié)構(gòu)設計等。

　　“目前功率器件部分，全球市場超過90%的份額仍掌握在國際大廠手中，較為先進的SiC Trench MOS工藝專利甚至包括一些平面的專利基本也都在國際大廠手中，且國際廠家市場應用比國內(nèi)起步更早，產(chǎn)業(yè)鏈更成熟。”李虹強調(diào)，對于我國產(chǎn)業(yè)鏈來說，還有很多的問題需要去突破。

　　從技術角度來講，李虹指出，現(xiàn)在國內(nèi)很多外延廠或者材料廠的關鍵設備，在缺陷密度方面，還有很大的提升的空間。

　　而從器件角度看，李虹認為，氧化層的增長、缺陷密度碳化硅、可靠性以及質(zhì)量，也均有提升空間。

　　“我們中國其實不管是做，還是做碳化硅，綜合成本高，相對的競爭力、性能跟硅基比，還是有很大的差距的?！崩詈绫硎?，整個產(chǎn)業(yè)鏈“要共同努力，從設備端到襯底到外延，到器件到封裝，共同努力，才有可能把綜合成本降下來”。

　　“中國有著全球最大的應用市場，有著國家的大力支持和濃厚的創(chuàng)新氛圍，在第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈的各個領域里通過專業(yè)的領頭企業(yè)專注研發(fā)和技術創(chuàng)新，產(chǎn)業(yè)鏈上下游開誠布公、通力合作，以倍于國際廠家的努力來縮短并趕超國際水平?！崩詈?，SiC重點考慮如何降低缺陷率、提升整體良率和產(chǎn)品可靠性，滿足汽車電子嚴苛的應用要求；同時創(chuàng)新產(chǎn)品設計持續(xù)降低產(chǎn)品Rsp，提高性價比。

　　關于降低成本進而提高性價比，李虹表示要從兩個方面努力：“一方面進一步提升器件良率，另一方面把器件面積盡量做小。”

　　“我們相信，整個第三代半導體還是會朝前發(fā)展。硅基的發(fā)展徑，已經(jīng)證明我們能夠克服各種技術挑戰(zhàn)?！崩詈绫硎?。

　　法國知名半導體咨詢機構(gòu)Yole預計，到2028年，整個碳化硅市場規(guī)模將達89億美元，氮化鎵市場規(guī)模將達47億美元（功率+射頻）。

　　李虹認為，從應用場景以及市場規(guī)模來看，碳化硅走在了氮化鎵的前面。目前而言， SIC產(chǎn)品的市場比GaN產(chǎn)品的市場要大，因為碳化硅起步較早，同時因為特斯拉的領先應用而快速上量，且應用場景相對集中，成熟度較高，這也是更多的廠家發(fā)展SIC產(chǎn)品的原因。

　　而氮化鎵起步較碳化硅晚一些，但因其產(chǎn)品很高的性價比，也在較多的領域開始應用，特別是D-mode器件，因其可靠性較高，已開始在一些應用場景上量，從市場應用和市場推廣的角度看，氮化鎵已處于“井噴”的前夜，2024年國內(nèi)的GaN器件市場很有可能突破10億。

　　李虹表示，碳化硅市場目前正處于成長期，近5年年復合增長率超過20%，主要基于一是碳化硅主要的應用市場如汽車、、光伏、儲能等行業(yè)正處于快速發(fā)展期，二是碳化硅功率器件由于其高壓高溫高頻特性，在很多應用領域在逐步替代硅基產(chǎn)品的市場份額，比如空壓機、UPS、射頻電源等等。

　　“越來越多有一定技術能力的公司正在圍繞碳化硅功率器件特性設計下一代新產(chǎn)品，可以預期未來一兩年碳化硅功率器件市場將有質(zhì)的變化?！崩詈绫硎荆绕涫俏磥砣晏蓟柢囆偷臐B透率會保持快速增長，“我認為到2025年應該能達到40%以上的滲透率”。

　　而GaN產(chǎn)品屬于新興的產(chǎn)品，目前市場上各家產(chǎn)品的定義還沒有形成統(tǒng)一的規(guī)格，廠家都會根據(jù)自己對應用的認知來定義自家的產(chǎn)品，通常不能夠直接替換，更多的是通過整體應用方案的方式來替換。李虹稱，隨著市場的規(guī)?；?，以及客戶對供應鏈安全的要求，未來產(chǎn)品也會像傳統(tǒng)產(chǎn)品一樣，趨于標準化。例如，最先規(guī)?；瘧玫氖謾C快充市場，因為具有了較大的規(guī)模，后來的廠家就會跟隨先進的廠家，逐步形成相互替代的標準化產(chǎn)品，最終提供附加值高的廠家能勝出。

　　巨大市場前景使得“老玩家”之外，每年都有很多“新玩家”進場。數(shù)據(jù)顯示，近三年新成立的碳化硅相關的公司有514家，氮化鎵相關的公司有32家，競爭態(tài)勢激烈。

　　不過，與此同時，“中國碳化硅的項目，乃至氮化鎵的項目，真的是太多了，里面大大小小的都有。但是能夠最終產(chǎn)業(yè)化成功的，可能不會太多?！崩詈绶Q，“其實建一個碳化硅的工廠也好，氮化鎵的工廠也好，一方面是要有大投資，另外一方面，有很多技術難題在里面。所以一個新成立的公司，其實是很難能夠長期持久地成功下去的。”

　　對于華潤微而言，李虹表示，公司對上游材料、自身的器件制造以及下游的市場應用端都有著長遠的規(guī)劃和布局，比如通過投資入股、收購兼并、產(chǎn)業(yè)協(xié)同等方式來完善和強化產(chǎn)業(yè)鏈。在碳化硅領域，投資入股上游材料廠家供應；在氮化鎵領域，通過和驅(qū)動芯片的廠家合作，實現(xiàn)合封產(chǎn)品，提高產(chǎn)品附加價值等。

　　“我們將持續(xù)保持在第三代半導體的資本投入，特別是產(chǎn)線能力的提升及產(chǎn)能規(guī)模的增長，適時啟動8嫉諶代半導體產(chǎn)業(yè)建設，利用自身優(yōu)勢在汽車電子產(chǎn)業(yè)鏈中發(fā)揮好關鍵作用?！崩詈绶Q。

　　李虹表示，希望政策層面能夠大力地鼓勵國內(nèi)發(fā)展集成電產(chǎn)業(yè)，特別是利用現(xiàn)在中國巨大的市場，積極地鼓勵第三代半導體加快發(fā)展?！巴瑫r也希望扶持和鼓勵一些頭部企業(yè)，讓這些頭部企業(yè)強強聯(lián)手，一起把第三代半導體真正地高質(zhì)量地做好?！保ㄑ霃V資本眼）